晶 越
CRYSTALYOND
创新决定发展，科技改变命运！
Innovation decides development, Science and technology changes destiny!
碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节，其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与产能提升的瓶颈，且8英寸与6英寸碳化硅晶圆的制造工艺有很大差别，也更为复杂。纵观国际厂商，海外大厂Wolfspeed、英飞凌、博世、onsemi等公司8英寸晶圆量产时间集中于2024年下半年至2026年期间。3月，Wolfspeed碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶；三菱电机预计今年4月将在日本开建新的8英寸SiC工厂，并计划2026年投入运营；4月，韩国釜山市正计划投建2座8英寸SiC/GaN功率半导体生产设施，最快将于明年下半年开始。回看国内厂商，在量产时间上与国际大厂仍然存在一定时间差，但国内厂商正向8英寸时代“进攻”。天科合达北京基地正在招标8英寸衬底量产线设备，包含加工产线的倒角-抛光-研磨-清洗及各类测试设备等产品。表明天科合达将进一步布局8英寸量产产能；天岳先进用液相法制备的无宏观缺陷的8英寸衬底是业内首创，据该公司消息，其已在8英寸碳化硅衬底上具备量产能力；烁科晶体实现了8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产N型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步。此外，还有许多国内企业如湖南三安、南砂晶圆、晶盛机电、合盛硅业等在8英寸SiC衬底、设备等领域取得进展突破。同光股份、乾晶半导体、超芯星、粤海金、东尼电子、天成半导体等厂商也已经涉足8英寸SiC衬底，未来，有望诞生更多8英寸衬底材料、设备等方面的先进技术，推动国产化进程。
